Российские ученые разработали наноматериалы для устройств "хранения памяти"

Ученые Воронежского государственного университета (ВГУ) разработали новые магнитные наноструктурированные материалы, которые можно использовать при изготовлении инновационных устройств для хранения и воспроизведения памяти, сообщает пресс-служба ВГУ.

Коллектив ученых Воронежского государственного университета выполнил проект "Изготовление магнитных наноструктурированных материалов силицидов переходных металлов (Si-Me) с эффектом оптического перемагничивания для элементов памяти нового поколения".

В ходе проекта были получены материалы, которые, как поясняется в сообщении, позволят обеспечить "сверхвысокое быстродействие, которое обеспечивается новым способом записи, еще не используемым в серийных устройствах".

Такие материалы ориентированы, прежде всего, на рынок наноматериалов для фотоники, микросистемной техники и устройств памяти.

Источник: РИА-Новости