Ассоциация государственных научных центров "НАУКА"
Ассоциация государственных научных центров "НАУКА"
Российский патент на изобретение «Способ изготовления фотодиода», который способствует снижению темновых токов, а значит, уменьшает шум фотоприемного устройства и повышает его пороговую чувствительность, получил холдинг «Швабе». За разработку способа отвечало предприятие холдинга ОАО «НПО «Орион».
«Добиться данного результата нашим специалистам удалось за счет создания специальной защитной маски на всей поверхности полупроводниковой пластины фотодиода. Она способствует снижению напряженности электрического поля, а это, в свою очередь, приводит к уменьшению значения темнового тока», - рассказал представитель НПО «Орион».
Напомним, что темновой ток проходит через фотоэлемент при отсутствии облучения и является основным источником электрического шума в фотоэлектронных приборах.
Данная разработка относится к технологии изготовления матричных фотоприемников инфракрасного излучения на основе антимонида индия (применяются в ближнем ИК-диапазоне от 1 до 5 мкм) или теллурида кадмия-ртути (используются в дальнем ИК-диапазоне от 8 до 14 мкм). Такие фотоприемники используют при создании приборов ночного видения и тепловизионной техники. В серийное производство фотодиоды, изготовленные по новой технологии, предполагается запустить в конце 2016 года.