Графен почти научились переносить на кремниевые поверхности

Группа материаловедов из Сингапурского национального университета во главе с Ло Киан Пином (Loh Kian Pin) разработала новый одношаговый процесс выращивания и переноса высококачественного графена на кремниевую или любую другую жёсткую подложку.

В последнее время в «графеновой промышленности» наблюдаются просто тектонические сдвиги: так, найдены новые способы выращивания из графена пластинок управляемого размера и формы. Однако любая современная микросхема, в которую вы мечтаете интегрировать графен (из-за его, понятно, отменных свойств), — многослойное устройство, а выращивать графен прямо на нём пока не очень-то получается.

То есть нужен техпроцесс не просто производства графена, но и его переноса на другие жёсткие поверхности.

Чтобы обойти проблемный угол стороной, сингапурские учёные поместили выращиваемый графен на «пузырьковую подушку». Для этого в субстрат, на котором «культивировался» материал, впрыскивали газы, а в жидкий катализатор роста графена добавляли поверхностно-активные вещества. Из-за этого пузырьки не создавали дефектов в графене при их образовании, а после того, как он был готов, оторвать лист атомов углерода от слоя пузырьковых мостиков оказалось на порядок проще, причём число дефектов после этого было беспрецедентно малым.

Таким методом, по словам разработчиков,графен можно выращивать серийно (ключевое слово в этой заметке!) на поверхности кремниевых пластин, включая крупные интегральные схемы.

Сейчас сингапурцы ведут предварительные переговоры о коммерциализации гибридных графено-кремниевых полупроводниковых изделий с несколькими неназванными партнёрами «из электронной индустрии».

Источник: nanonewsnet.ru