Сведения об инфраструктуре научно-технологической деятельности
Центр коллективного пользования научным и испытательным оборудованием «Функциональный контроль и диагностика микро- и наносистемной техники».
Опытное производство НПК «Технологический центр» - интегрированный комплекс технологических, технических и вспомогательных производств, обеспечивающий полный цикл разработки и производства изделий микро- и наноэлектроники, микро- и наносистемной техники. Опытное производство НПК «Технологический центр» оснащено на уровне технологических структур ведущих предприятий электронной промышленности. В НПК «Технологический центр» реализован энергетически обеспеченный замкнутый цикл кристального производства, предоставляющий возможность одновременного изготовления нескольких типов приборов по различным технологическим маршрутам. Это позволяет решать исследовательские задачи разработки приборов с использованием различных вариантов технологического базиса.
Опытное производство НПК «Технологический центр» организовано специальным образом для обеспечения исследовательских работ, практической апробации технических решений и последующей коммерциализации результатов. Производственная структура и наличие спектра базовых технологий обеспечивают возможность одновременного выполнения как работ по созданию новых продуктов, включая изготовление экспериментальных, пилотных образцов, так и мелкосерийное производство разработанных ранее приборов.
Основные отличительные особенности опытного производства НПК »Технологический центр»:
1) Модульный принцип построения;
2) Высокоразвитая интегрированная инженерная инфраструктура;
3) Обеспечение замкнутого технологического цикла, оснащенность специальным технологическим, аналитическим и испытательным оборудованием для реализации полного уровня кристального и сборочного производства;
4) Поддержка мультитехнологий и технологий «Value Added Approach» (базовый процесс с модульным расширением).
5) Диаметр обрабатываемых пластин 100 мм, минимальные проектные нормы 1,2 мкм, число уровней металлизации 2.
6) Мощность кристального производства - 8 тыс. пластин в год изделий микроэлектроники и 4 тыс. пластин в год изделий микросистемотехники.
7) Мощность сборочного производства 100 тыс. микросхем в год и 10 тыс. преобразователей физических величин.
8) Площадь чистых производственных помещений класса 100/1000 - 600 кв.м., площадь субфаба и объектов инженерной инфраструктуры -
2000 кв. м. Количество единиц основного оборудования более 120
9) Освоенные технологии:
- СБИС: КМОП, КМОП КНИ (кремний на изоляторе), БиКМОП;
- МЭМС: объемная и поверхностная микромеханика, кремниевые преобразователи давления, акселерометры, гироскопы, преобразователи силы;
- НЭМС: магниточувствительные датчики на основе АМР (анизотропного магниторезистивного), ГМР (гигантского магниторезистивного) эффекта.
- Силовая электроника: LDMOS (laterally diffused metal oxide semiconductor – смещенно-диффузный металл-оксид-полупроводник).
Цель и задачи ГНЦ РФ, их соответствие приоритетам научно-технологического развития Российской Федерации
В соответствии с Положением об условиях государственного обеспечения государственного научного центра Российской Федерации - научно-производственного комплекса «Технологический центр», утвержденным постановлением Правительства РФ от 5 июня 1994 г. N 648, на государственный научный центр Российской Федерации НПК «Технологический центр» МИЭТ» возложены следующие функции:
а) проведение в соответствии с утвержденными программами фундаментальных, поисковых и прикладных научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ в следующих областях:
- элементная база и технологии изготовления аналого-цифровых базовых матричных кристаллов;
- специализированные аналоговые интегральные схемы с функциями источников вторичного питания, нормированных усилителей и передатчиков сигналов для комплектования датчиковых систем;
- прецизионные интегральные преобразователи давления, совмещенные со схемой температурной компенсации на одном кристалле;
- интегральные кремниевые балочные тензопреобразователи для датчиков перемещения, силы и акселерометров;
- интегральные схемы-преобразователи индукции магнитного поля порогового и непрерывного действия;
б) участие в выполнении обязательств, предусмотренных межгосударственными, межправительственными, межведомственными соглашениями, договорами и другими документами (меморандумы, резолюции, протоколы) о научно-техническом сотрудничестве;
в) подготовка и переподготовка высококвалифицированных научных кадров в области передовых технологий микроэлектроники и проектирования больших интегральных схем.
Участие ГНЦ РФ в реализации мероприятий, предусмотренных национальными и федеральными проектами и важнейшими инновационными проектами государственного значения
Федеральный проект «Развитие инфраструктуры для научных исследований и подготовки кадров» национального проекта «Наука и университеты»
Участие ГНЦ РФ в реализации технологических платформ
Комплексная научно-технологическая программа полного инновационного цикла «Глобальные информационные спутниковые системы»
Наличие базовых кафедр, научных школ
На основе НПК «Технологический центр» на факультете электроники и компьютерных технологий создана базовая кафедра МИЭТ «Микроэлектроника и микросистемы»
