Рентгеновское излучение помогло лучше понять поведение электронов в современных транзисторах

Исследователи впервые смогли визуализировать электронную структуру двумерного электронного газа. Результаты исследований опубликованы в журнале Nature Communications.

С помощью синхротронного излучения учёным впервые удалось исследовать зону двумерного электронного газа и получить важную фундаментальную информацию об энергии, скорости и направленности электронов. "Факт наблюдения электронной структуры "закопанного" двумерного газа использованным методом является важным научным результатом. До нашего исследования такое считалось невозможным", – пояснил младший научный сотрудник отдела прикладных наноэлектронных структур НИЦ "Курчатовский Институт" Иван Майборода.

Полупроводники на основе нитрида галлия (GaN) являются очень перспективными в современной электронике. Транзисторы, изготовленные из таких материалов, обладают мощным потенциалом в коммуникационных технологиях, системах управления электродвигателями, в автомобильной технике и многих других сферах. Однако, несмотря на широкомасштабное промышленное внедрение этих полупроводников, некоторые их фундаментальные свойства до настоящего времени остаются неизученными.

В дальнейшем учёные планируют использовать полученные разработки для сканирования электронных устройств непосредственно в процессе работы. Это даст возможность моментально визуализировать все нежелательные процессы и выявлять их причины, что значительно облегчит и ускорит процесс создания более совершенной электронной аппаратуры.