Индекс цитирования Яндекс.Метрика

Направления

08.08.2018

Специалисты ВНИИНМ разработают высокотемпературные сверхпроводники второго поколения и мишени для их изготовления

Ученые АО «ВНИИНМ» при поддержке Госкорпорации «Росатом» разработают новую технологию изготовления высокотемпературных сверхпроводников второго поколения (ВТСП-2).

– Сегодня в России существует только одна технология изготовления ВТСП второго поколения. Она предполагает использование ультрафиолетового газового лазера для нанесения сверхпроводящего слоя методом лазерной абляции. В настоящее время производство таких лазеров монополизировано компанией «Coherent» (США), а его стоимость в зависимости от мощности может достигать 1 млн. долларов США. Цена лазера и стоимость его эксплуатации во многом определяют стоимость конечного продукта – ВТСП проводника, говорит главный научный сотрудник АО «ВНИИНМ» Виктор Панцырный. Мы предлагаем разработать альтернативный способ нанесения ВТСП слоя с помощью магнетронного или электронно-лучевого напыления компонентов сверхпроводника в сочетании с прецизионной термообработкой.

По оценке ученого, предложенная АО «ВНИИНМ» технология будет более экономически эффективной в случае создания промышленной установки. Она позволит достичь большей производительности при меньших затратах, а все основное оборудование и исходные материалы можно будет изготавливать в России.

Специалисты АО «ВНИИНМ» также создадут новые типы керамических мишеней, используемых при производстве длинномерных ВТСП-2 методом лазерной абляции. Предполагается, что такие мишени позволят получать сверхпроводники с токонесущей способностью в низких магнитных полях в 1,5 раза, а в высоких полях – до 10 раз выше существующих на сегодняшний день.

В настоящее время в мире и России ведется разработка экспериментальных и опытных электротехнических устройств на основе сверхпроводимости: кабелей, генераторов, двигателей, токоограничителей и др. Эксплуатационные характеристики и сроки вывода на коммерческий рынок этих устройств напрямую зависят от свойств и стоимости высокотемпературных сверхпроводников второго поколения.