Сведения об инфраструктуре научно-технологической деятельности
АО «НПО «Орион» обладает уникальной научно-экспериментальной и испытательной базой, предназначенной как для проведения фундаментальных исследований, так и для поисковых и прикладных исследований и разработок в области фотоэлектроники, оптоэлектроники и фотоники.
В АО «НПО «Орион» представлены все виды высоких технологий: микроэлектронная, ионно-плазменная, электронно-лучевая, вакуумная, лазерная, молекулярно-лучевая, микрокриогенная и многие другие, обеспечивающие исследования, разработку и выпуск фото- и оптоэлектронных изделий на уровне лучших мировых достижений. Испытательно-метрологический комплекс АО «НПО «Орион» обеспечивает все виды необходимых испытаний при разработке и производстве фотоэлектронных изделий для высокотехнологичной продукции различного назначения.
Научно-технологическая инфраструктура АО «НПО «Орион» постоянно обновляется путем выполнения инвестиционных проектов по реконструкции и техперевооружению.
Доля нового технологического и производственного оборудования составляет более 70 %.
Цель и задачи ГНЦ РФ, их соответствие приоритетам научно-технологического развития Российской Федерации
АО «НПО «Орион» является головной организацией в стране, на которую возложены задачи комплексного развития опто- и фотоэлектроники, разработки новых поколений наукоемких фотоэлектронных изделий, базовых и критических технологий для их производства. Научная и научно-техническая деятельность предприятия осуществляется по научно-технологическим направлениям, относящимся к приоритетным направлениям развития науки и технологий в Российской Федерации.
АО «НПО «Орион» специализируется на разработке и выпуске изделий микрофотоэлектроники для оснащения оптико-электронных систем и комплексов в интересах науки, промышленности, космической и других отраслей.
Основные направление деятельности – фотоприемники, фотоприемные устройства, в том числе фотоэлектронные модули второго и третьего поколений, работающие в областях спектра оптического излучения от ультрафиолетовой до дальней инфракрасной и выполняемые на основе фоточувствительных полупроводниковых материалов (Si, Ge, CdHgTe, InSb, InGaAs, GaP, AlGaN) и микроэлектронных схем считывания и обработки фотосигнала, в том числе охлаждаемых до криогенных температур.
Участие ГНЦ РФ в реализации мероприятий, предусмотренных национальными и федеральными проектами и важнейшими инновационными проектами государственного значения
АО «НПО «Орион» участвует в:
- реализации Федеральных проектов
№ 2 и № 3 Государственной программы «Развитие оборонно-промышленного комплекса Российской Федерации»;
-выполнении важнейшего инновационного проекта государственного значения, направленного на достижение необходимого уровня национальной безопасности и обороны страны, в которого создаются прорывные технологии и разрабатывается ключевое изделие фотоэлектроники с высокой наукоемкой составляющей.
Участие ГНЦ РФ в реализации технологических платформ
АО «НПО «Орион» принимает участие в реализации технологических платформ:
«Фотоника – инновационные лазерные, оптические и оптоэлектронные технологии»;
«Технологии мехатроники, встраиваемых систем управления, радиочастотной идентификации и роботостроение».
Информация о ведении образовательной деятельности
Базовые кафедры при АО «НПО «Орион»:
12.04.02 «Оптотехника»;
03.03.01 «Прикладные математика и физика» ;
12.05.01 «Электронные и оптико-электронные приборы и системы специального назначения» ;
27.03.01 «Стандартизация и метрология»;
03.04.01 «Прикладные математика и физика»;
12.03.05 «Лазерная техника и лазерные технологии»
Аспирантура:
12.06.01 "Фотоника, приборостроение, оптические и биотехнические системы и технологии";
2.2.6 "Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы";
2.2.2 «Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств»
Наличие базовых кафедр, научных школ
МФТИ (НИУ) – кафедра «Физической электроники»;
РТУ МИРЭА - кафедра № 134 «Инфракрасной техники и электронной оптики»;
Научная школа АО «НПО «Орион» «Фундаментальные и прикладные исследования в области микрофотоэлектроники на основе узкозонных полупроводников» грант Президента Российской Федерации по поддержке ведущих научных школ - грант НШ-2787.2014.9.
